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型号 SI1051X-T1-GE3
厂商 Vishay Siliconix
描述 MOSFET P-CH 8V 1.2A SC89-6
SI1051X-T1-GE3 PDF
代理商 SI1051X-T1-GE3
产品目录绘图 SC89-6 Mosfet Package
标准包装 3,000
FET 型 MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 8V
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 122 毫欧 @ 1.2A，4.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 9.45nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds 560pF @ 4V
功率 - 最大 236mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 SOT-563，SOT-666
供应商设备封装 SC-89-6
包装 带卷 (TR)
产品目录页面 1665 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 SI1051X-T1-GE3TR
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